参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	STD86N3LH5n: 0
说明	功率MOSFET   DPAK
起订量	0
最小包	0
现货	395 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	STripFET™ V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	14nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1850pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	70W(Tc)
工作温度	175°C(TJ)
封装/外壳	DPAK
70 W	Pd - 功率消耗
下降时间	10.8 ns
上升时间	14 ns
标准包装数量	2500
标准断开延迟时间	23.6 ns
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	22V
连续漏极电流Id	80A
Rds On(Max)@Id,Vgs	5mΩ
配置	Single